SK Hynix планирует запуск нового поколения памяти HBM4E

SK Hynix вдохновляет инновационными планами на выпуск передовой памяти HBM4E, которую ожидают увидеть к 2026 году.

Индустрия высокопроизводительной памяти HBM испытывает настоящий инновационный всплеск, и в этом контексте Южнокорейская технологическая компания SK Hynix выявила амбиции по запуску нового поколения памяти HBM4E.

SK Hynix стремится определить будущее технологий, объединяя полупроводники и память в едином устройстве с помощью HBM4E.

ИИ-индустрия уже сейчас признает огромное значение HBM для ускорения производительности, что видно на примере последних достижений, включая стандарт HBM3E, который значительно повысил производительность новейших ИИ-графических процессоров, таких как Blackwell B100 и Instinct MI300X. Но SK Hynix уверяет, что это только верхушка айсберга, и планирует широкое внедрение HBM4E уже в ближайшие пару лет.

Ким Гви Вук, руководитель отдела HBM в SK Hynix, поделился, что развитие этой технологии не стоит на месте и с каждым разом стремится к новым вершинам. Раньше промежуток между поколениями составлял два года, но теперь, отвечая на возросший спрос, компания планирует сократить этот срок до года, что говорит о планах выпуска HBM4E к 2026 году.

Объявление о HBM4E не просто подтверждает его существование, но и дает нам взгляд на то, что он обещает: пропускная способность на 40% выше, чем у предшественника HBM4, и значительно лучшая энергоэффективность, что поднимает планку ожиданий от следующего поколения ИИ-ускорителей.

Еще ранее SK Hynix анонсировали использование инновационной технологии MR-MUF, целью которой является слияние полупроводников логики и памяти в единое устройство. Для этого компания уже вступила в партнерство с TSMC. В отчетах отрасли утверждается, что HBM4 станет вехой, сравнимой с появлением iPhone, задавая новые стандарты для будущих поколений памяти.

Автор: AlexZa / Источник: Wccftech