Меню
Назад
Каталог товаров
 
 
0
0
РАСПРОДАЖА
4 249 р.
4 099 р.
MSI
PCI-E 5.0, ядро - 2300 МГц, Boost - 2572 МГц, 16 Гб памяти GDDR7 28000 МГц, 256 бит, HDMI, 3xDisplayPort, подсветка, длина 338 мм
Все параметры
New
Sale
ХИТ
Количество:
Сравнить
Купить в 1 клик
4 169 р.
4 049 р.
Рейтинг:
(0 голосов)
Артикул: 5622142
MSI
PCIe 5.0 16 ГБ GDDR7, 256 бит, 3 x DisplayPort, HDMI, GPU 2300 МГц
Все параметры
New
Sale
Количество:
Сравнить
Купить в 1 клик
2 209 р.
2 149 р.
Рейтинг:
(0 голосов)
Артикул: 5622539
PCIe 5.0 16 ГБ GDDR7, 128 бит, 3 x DisplayPort, HDMI, GPU 2407 МГц
Все параметры
New
Sale
Количество:
Сравнить
Купить в 1 клик
Посмотреть все
Команда Mytexno
Мы во многих популярных социальных сетях
Подробнее
4000 ГБ M.2 NVMe накопитель Samsung 990 EVO Plus [MZ-V9S4T0BW]

4000 ГБ M.2 NVMe накопитель Samsung 990 EVO Plus [MZ-V9S4T0BW]

Рейтинг:
(0 голосов)
1 209 р.
Количество:
Артикул: 5613826
PCIe 4.0 x4, чтение - 7250 Мбайт/сек, запись - 6300 Мбайт/сек, 3 бит TLC, NVM Express, TBW - 2400 ТБ
Сравнить
Поделиться

ssd

4000 ГБ M.2 NVMe накопитель Samsung 990 EVO Plus

Samsung 990 EVO Plus с технологией NAND обеспечивает повышенную скорость последовательного чтения/записи до 7250/6300 МБ/с. Огромные файлы, мгновенная передача. Оптимизированная эффективность, повышенная производительность. Контроллер с никелевым покрытием увеличивает скорость передачи данных в мегабайтах в секунду на ватт на 73%, обеспечивая тот же уровень мощности и терморегуляции при меньшем энергопотреблении. Сосредоточьтесь на работе или игре, не беспокоясь о перегреве или времени автономной работы. Инструменты оптимизации программного обеспечения Samsung Magician обеспечивают максимальную производительность SSD-накопителя. Это безопасный и простой способ переноса всех ваших данных для обновления SSD-накопителя Samsung. Защищайте ценные данные, следите за состоянием накопителя и получайте последние обновления прошивки.



*Цены не являются публичной офертой
Толщина
2.38 мм
Ширина
22.15 мм
Длина
80.15 мм
Радиатор в комплекте
нет
DWPD
0.33
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32)
1400000 IOPS
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32)
1050000 IOPS
Максимальная скорость последовательной записи
6300 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательного чтения
7250 Мбайт/сек
DRAM буфер
нет
Структура памяти
3D NAND
NVMe
есть
Ключ M.2 разъема
M
Физический интерфейс
PCIe 4.0 x4
Форм-фактор
2280
Объем накопителя
4000 ГБ
Максимальный ресурс записи (TBW)
2400 ТБ
Оставить комментарий
Заполните обязательные поля *.