Меню
Назад
Каталог товаров
 
 
0
0
ТОВАР ДНЯ
РАСПРОДАЖА
4 589 р.
4 439 р.
MSI
PCI-E 5.0, ядро - 2300 МГц, Boost - 2572 МГц, 16 Гб памяти GDDR7 28000 МГц, 256 бит, HDMI, 3xDisplayPort, подсветка, длина 338 мм
Все параметры
New
Sale
ХИТ
Количество:
Сравнить
Купить в 1 клик
2 600 р.
2 475 р.
Рейтинг:
(0 голосов)
Артикул: 5620886
PCIe 5.0 12 ГБ GDDR7, 192 бит, 3 x DisplayPort, HDMI, GPU 2330 МГц
Все параметры
New
Sale
ХИТ
Количество:
Сравнить
Купить в 1 клик
2 399 р.
2 299 р.
Рейтинг:
(0 голосов)
Артикул: 31408hit
16 ГБ GDDR7, 2410 МГц / 2647 МГц, 4608sp, 36 RT-ядер, трассировка лучей, 128 бит, 2 слота, питание 8 pin, HDMI, DisplayPort
Все параметры
New
Sale
Количество:
Сравнить
Купить в 1 клик
Посмотреть все
Команда Mytexno
Мы во многих популярных социальных сетях
Подробнее
1000 ГБ M.2 NVMe накопитель Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S1T0BW]

1000 ГБ M.2 NVMe накопитель Samsung 970 EVO Plus [MZ-V7S1T0BW]

Рейтинг:
(0 голосов)
401 р.
Количество:
Артикул: 5052364
PCIe 3.0 x4, чтение - 3500 Мбайт/сек, запись - 3300 Мбайт/сек, 3 бит MLC (TLC), NVM Express, TBW - 600 ТБ
Сравнить
Поделиться

ssd

1000 ГБ M.2 NVMe накопитель Samsung 970 EVO Plus

SSD M.2 накопитель Samsung 970 EVO Plus с буфером DRAM обеспечивает высокую производительность в играх, профессиональных программах и ресурсоемких графических приложениях. Интерфейс PCIe 3.0 при поддержке технологии HMB и стандарта NVMe помогает добиться скорости на уровне показателя 3500 Мбайт/сек в режиме чтения. Объем 1000 ГБ предоставляет достаточно пространства для хранения игр, мультимедийных файлов и прочего контента. С помощью ПО Samsung Magician можно выполнять мониторинг устройства и оптимизировать настройки накопителя Samsung 970 EVO Plus.



*Цены не являются публичной офертой
Вес
8 г
Толщина
2.38 мм
Ширина
22 мм
Длина
80 мм
Радиатор в комплекте
нет
DWPD
0.33
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32)
550000 IOPS
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32)
600000 IOPS
Максимальная скорость последовательной записи
3300 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательного чтения
3500 Мбайт/сек
DRAM буфер
есть
Структура памяти
3D NAND
NVMe
есть
Ключ M.2 разъема
M
Физический интерфейс
PCIe 3.0 x4
Форм-фактор
2280
Объем накопителя
1000 ГБ
Максимальный ресурс записи (TBW)
600 ТБ
Оставить комментарий
Заполните обязательные поля *.