512 ГБ M.2 NVMe накопитель Transcend MTE220S [TS512GMTE220S]
Сравнить
![512 ГБ M.2 NVMe накопитель Transcend MTE220S [TS512GMTE220S]](/d/512gbm2nvmenakopiteltranscendmte220s_0_1346264.webp "512 ГБ M.2 NVMe накопитель Transcend MTE220S [TS512GMTE220S]")
![512 ГБ M.2 NVMe накопитель Transcend MTE220S [TS512GMTE220S]](/thumb/2/irg_wKaOZFkV3vt11Hx8bg/100r100/d/512gbm2nvmenakopiteltranscendmte220s_0_1346264.webp "512 ГБ M.2 NVMe накопитель Transcend MTE220S [TS512GMTE220S]")
![512 ГБ M.2 NVMe накопитель Transcend MTE220S [TS512GMTE220S]](/thumb/2/kvFhoQh-QmwTo5zqvZD1gA/100r100/d/512gbm2nvmenakopiteltranscendmte220s_1_1346264.webp "512 ГБ M.2 NVMe накопитель Transcend MTE220S [TS512GMTE220S]")
Поделиться
- ВКонтакте
- РћРТвЂВВВВВВВВнокласснРСвЂВВВВВВВВРєРСвЂВВВВВВВВ
- Viber
- Telegram
512 ГБ M.2 NVMe накопитель Transcend MTE220S
512 ГБ SSD M.2 накопитель Transcend MTE220S [TS512GMTE220S] предназначен для модернизации некоторых моделей ноутбуков, а также стационарных компьютеров. Данная модель отличается скоростью чтения и записи файлов, которая достигает 3500 МБ/с и 2100 МБ/с, благодаря чему обеспечивается высокая скорость работы как отдельных приложений, так и всей системы в целом. Это обусловлено использованием памяти типа NAND с объемной структурой и производительного контроллера Silicon Motion SM2262EN. Также данная модель отличается большим ресурсом работы, который достигает 1100 TBW. Среднее время между отказами составляет 1.5 млн часов. SSD M.2 накопитель Transcend MTE220S [TS512GMTE220S] выполнен в корпусе компактных размеров и соответствует форм-фактору 2280 с ключом М, где 22 мм — ширина платы, а 80 мм — ее длина. Толщина корпуса при этом составляет 3.58 мм. Для подключения к материнской плате используется интерфейс PCI-E 3.0 x4.
*Цены не являются публичной офертой
Вес
10 г
Толщина
3.58 мм
Ширина
22 мм
Длина
80 мм
Радиатор в комплекте
нет
DWPD
1.18
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32)
310000 IOPS
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32)
210000 IOPS
Максимальная скорость последовательной записи
2100 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательного чтения
3300 Мбайт/сек
DRAM буфер
есть
Структура памяти
3D NAND
NVMe
есть
Ключ M.2 разъема
M
Физический интерфейс
PCIe 3.0 x4
Форм-фактор
2280
Объем накопителя
512 ГБ
Максимальный ресурс записи (TBW)
1100 ТБ
Оставить комментарий
Заполните обязательные поля *.
